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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.06 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.175 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 6 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST82-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BST82TC | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BST82TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BST82TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BST84 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BST84135 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BST84T/R | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, MPT3, UPAK-3, |
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| BST84-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BST84-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BST84TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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