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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.175 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST82TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BST84 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BST84135 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST84T/R | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, MPT3, UPAK-3, |
|
| BST84-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST84-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST84TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BST84TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST86 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BST86135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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