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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BST84TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BST86 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BST86135 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST86T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-89 |
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| BST86TA | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BST86-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST86-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BST86TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BST86TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSTC-101-D-XXX-30-T-200-LT | MAJOR-LEAGUE |
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Board Connector, 2 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Kinked Leads Terminal, Bla |
|
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