BST61

更新时间： 2024-11-24 03:22:55

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
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1页	16K
描述
SOT89 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR

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BST61 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BST61 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTOR

BST61

ISSUE 4 – MARCH 1996

✪

FEATURES

Fast Switching

High h_FE

PARTMAKING DETAIL —

BS2

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-80

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

-60

-10

Pe a Pu ls e Cu rre n t

-1.5

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Bas e Cu rren t

I_C

-500

m A

I_B

-100

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

P_{to t}

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre a kd o w n Vo ltag e

V_(BR)CBO

-80

-60

-10

I_C=-10µA, I_E=0

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo ltag e

V_(BR)CEO

I_C=-10m A, I_B=0*

Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n V_(BR)EBO

Vo lta g e

I_E=-10µA, I_C=0

Em itte r Cu t-Off Cu rren t

I_EBO

I_CES

-10

V_EB=-8V, I_E=0

V_CE=-60V, I_C=0

µA

Co lle cto r-Em itte r

Cu t-Off Cu rren t

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

-1.3

I_C=500m A, I_B=-0.5m A

T_j=150°C

Bas e -Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{BE(s a t)}

h_FE

-1.9

I_C=-500m A, I_B=-0.5m A

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t

Tra n sfe r Ra tio

I_C=-150m A, V_CE=-10V*

I_C=-500m A, V_CE=-10V*

Tu rn On Tim e

Tu rn Off Tim e

t_{o n}

400 Typical

1.5K Typical

n s

I_C=500m A

_{Bo n}=I_{Bo ff}=-0.5m A

t_{o ff}

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

For typical characteristics graphs see FZTA63 (SOT223) datasheet.

3 - 81

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BST61T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-89
BST61TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89,
BST61-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BST61-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BST61TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G
BST61TRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BST61TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP G
BST62	NEXPERIA	获取价格	PNP Darlington transistorProduction
BST62	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BST62	NXP	获取价格	PNP Darlington transistors

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