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BSS84L99Z

更新时间： 2024-02-16 09:29:32
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

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BSS84L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.56
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.13 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：12 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS84L99Z 数据手册

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May 2000  
BSS84 / BSS110  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is designed to minimize on-state resistance, provide  
rugged and reliable performance and fast switching. They  
can be used, with a minimum of effort, in most applications  
requiring up to 0.17A DC and can deliver pulsed currents up  
to 0.68A. This product is particularly suited to low voltage  
applications requiring a low current high side switch.  
BSS84: -0.13A, -50V. RDS(ON) = 10W @ VGS = -5V.  
BSS110: -0.17A, -50V. RDS(ON) = 10W @ VGS = -10V  
Voltage controlled p-channel small signal switch.  
High density cell design for low RDS(ON)  
High saturation current.  
.
____________________________________________________________________________________________  
S
G
BSS110  
D
(TO-236AB)  
BSS84  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
BSS84  
BSS110  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
Drain-Source Voltage  
-50  
-50  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 20 KW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous @ TA = 30/35oC  
VGSS  
ID  
±20  
V
A
-0.13  
-0.52  
0.36  
-0.17  
-0.68  
0.63  
- Pulsed  
Maximum Power Dissipation TA = 25°C  
@ TA = 25oC  
PD  
W
°C  
°C  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
300  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/16" from case for 10 seconds  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
350  
200  
°C/W  
R
JA  
q
© 2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
BSS84 Rev. C2 / BSS110. Rev. A3  
1234567

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与BSS84L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS84-L99Z TI

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 		130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS84LT1 ONSEMI

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 		Power MOSFET 130 mA, 50 V
BSS84LT1 WILLAS

获取价格

 		130 mAmps, 50 Volts
BSS84LT1/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET 130 mAmps， 50 Volts
BSS84LT1_12 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10
BSS84LT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 130 mA, 50 V
BSS84LT3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236AB
BSS84LT7G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84-NL FAIRCHILD

获取价格

 		−0.13A, −50V. RDS(ON) = 10Ω @ VGS = −5
BSS84P INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor

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