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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.51 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3.8 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS84Q | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84Q | YANGJIE |
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SOT-23 |
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| BSS84Q-13-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS84Q-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS84S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS84S6R | CYSTEKEC |
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Dual P-Channel MOSFET |
|
| BSS84S6R-0-T1-G | CYSTEKEC |
获取价格 |
Dual P-Channel MOSFET |
|
| BSS84T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, |
|
| BSS84T/R13 | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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