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BSS84LT7G

更新时间： 2024-09-26 21:11:59

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	103K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

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BSS84LT7G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	40 weeks
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.13 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS84LT7G 数据手册

BSS84L, BVSS84L

Power MOSFET

Single P-Channel SOT-23

-50 V, 10 W

• SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space

• BV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

www.onsemi.com

MAX

DS(ON)

(BR)DSS

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

−50 V

10 W @ 10 V

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

P−Channel

Rating

Drain−to−Source Voltage

Gate−to−Source Voltage − Continuous

Drain Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

Continuous @ T = 25°C

130

520

Pulsed Drain Current (t ≤ 10 ms)

Total Power Dissipation @ T = 25°C

225

Operating and Storage Temperature

Range

T , T

− 55 to

150

°C

stg

Thermal Resistance − Junction−to−Ambient

556

260

°C/W

°C

SOT−23

CASE 318

STYLE 21

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, for 10 seconds

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage

the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not

be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

MARKING DIAGRAM & PIN ASSIGNMENT

Drain

PD MG

Gate

Source

= Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(*Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BSS84LT1G,

BVSS84LT1G

SOT−23

(Pb−Free)

3,000 / Tape & Reel

BSS84LT7G

SOT−23

3,500 / Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

March, 2019 − Rev. 10

BSS84LT1/D

12 3 4

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与BSS84LT7G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS84-NL	FAIRCHILD	获取价格	â0.13A, â50V. RDS(ON) = 10Î© @ VGS = â5
BSS84P	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS84P_06	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS84P-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84PH6327XTSA2	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84PH6433XTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84PL6327	ROCHESTER	获取价格	170mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
BSS84P-L6327	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS84PL6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84PW	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor

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