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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 6.99 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 85 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS63 | NXP |
完全替代  |
PNP high-voltage transistor |
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| BSS63LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS63A | ROHM |
获取价格 |
BSS63A是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。 |
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| BSS63AHZG | ROHM |
获取价格 |
BSS63AHZG是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。并且是符合AEC-Q1 |
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| BSS63D87Z | TI |
获取价格 |
200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BSS63E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS63E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS63L | MOTOROLA |
获取价格 |
100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN |
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| BSS63L99Z | TI |
获取价格 |
200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BSS63LT1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
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| BSS63LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP) |
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| BSS63LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
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