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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | CASE 318-08, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 95 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS63LT1/D | ETC |
获取价格 |
High Voltage Transistor PNP |
|
| BSS63LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| BSS63LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| BSS63LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| BSS63-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP high-voltage transistorProduction |
|
| BSS63R | TYSEMI |
获取价格 |
SOT23 PNP silicon planar Emitter-base voltage VEBO -6 V |
|
| BSS63R | KEXIN |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| BSS63R-T6 | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| BSS63R-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSS63R-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
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