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BSS63LT1

更新时间： 2024-01-08 15:26:05

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BSS63LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.96	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	95 MHz	Base Number Matches：	1

BSS63LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistors

PNP Silicon

BSS63LT1

COLLECTOR

BASE

CASE 318–08, STYLE 6

SOT– 23 (TO–236AB)

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

–100

–110

–100

Unit

Vdc

Collector– Emitter Voltage

Collector– Emitter Voltage (R _BE= 10 kΩ)

Collector Current — Continuous

V _CEO

V _CER

I _C

Vdc

mAdc

DEVICE MARKING

BSS63LT1 = T1

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

°C/W

T _J, T _stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –100 µA)

V _(BR)CEO

– 100

—

Vdc

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –10 µAdc , I _E=0, R _BE=10 kΩ )

Collector–Base Breakdown Voltage

(I_E= – 10 µAdc, I _E=0 )

V _(BR)CER

V _(BR)CBO

I _CBO

– 110

– 6.0

—

Vdc

Emitter –Base Breakdown Voltage

(I_E= – 10 µA)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

– 100

– 10

– 200

µAdc

(V_CB= – 90 Vdc, I _E=0 )

Collector Cutoff Current

I _CER

—

(V_CB= – 110 Vdc, R _BE=10 kΩ )

Emitter Cutoff Current

I _EBO

—

(V_EB= – 6.0 Vdc, I _C= 0 )

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

M39–1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSS63R	TYSEMI	获取价格	SOT23 PNP silicon planar Emitter-base voltage VEBO -6 V
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