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BSS110E6325

更新时间： 2024-11-23 14:37:39

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英飞凌 - INFINEON		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	79K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BSS110E6325 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.26
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.17 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS110E6325 数据手册

BSS 110

SIPMOS Small-Signal Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= -0.8...-2.0 V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 110

-50 V

-0.17 A

TO-92

SS 110

Type

Ordering Code

Q62702-S500

Q62702-S278

Q67000-S568

Tape and Reel Information

BSS 110

E6288

E6296

E6325

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

-50

DGR

= 20 kΩ

-50

Gate source voltage

± 20

Continuous drain current

T = 35 °C

-0.17

-0.68

0.63

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

12/05/1997

12 3 4 5 6 7

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