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BM60052FV-CE2

更新时间： 2024-11-18 20:09:23

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罗姆 - ROHM		驱动双极性晶体管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	3051K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver

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BM60052FV-CE2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	5.79	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BM60052FV-CE2 数据手册

Datasheet

Gate Driver Providing Galvanic isolation Series

Isolation voltage 2500Vrms

1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation

BM60052FV-C

General Description

Key Specifications

The BM60052FV-C is a gate driver with isolation voltage

2500Vrms, I/O delay time of 110ns, and a minimum input

pulse width of 90ns. Fault signal output function, ready

signal output function, under voltage lockout (UVLO)

function, DESAT function, and switching controller

function are all built-in.

 Isolation Voltage:

 Maximum Gate Drive Voltage:

 I/O Delay Time:

2500Vrms

20V(Max)

110ns(Max)

90ns(Max)

 Minimum Input Pulse Width:

Package

SSOP-B28W

W(Typ) x D(Typ) x H(Max)

9.2 mm x 10.4 mm x 2.4 mm

Features

■

Provides Galvanic Isolation

Fault Signal Output Function

Ready Signal Output Function

Under Voltage Lockout Function

DESAT Protection Function

Soft Turn-Off Function for DESAT Protection

(Adjustable Turn-OFF time)

Thermal Protection Function

Active Miller Clamping

Switching Controller Function

Output State Feedback Function

UL1577 Recognized:File No. E356010

AEC-Q100 Qualified^{(Note 1)}

■

(Note 1:Grade1)

Applications

■

Driving IGBT Gate

Driving MOSFET Gate

■

Typical Application Circuit

Figure 1. Typical Application Circuit

○Product structure：Silicon integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.co.jp

TSZ02201-0818ABH00060-1-2

25.Dec.2015 Rev.002

1/35

TSZ22111・14・001

12 3 4 5 6 7...38

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与BM60052FV-CE2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BM60054AFV-C	ROHM	获取价格	这是一款内置隔离元件的栅极驱动器，绝缘电压为2500Vrms，输入输出延迟时间为120ns
BM60054FV-C	ROHM	获取价格	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
BM60054FV-CE2	ROHM	获取价格	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
BM60055FV-C	ROHM	获取价格	1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage
BM60055FV-CE2	ROHM	获取价格	1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage
BM60059FV-C	ROHM	获取价格	内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间450ns、最小输入脉冲宽度400ns的绝缘
BM60060FV-C	ROHM	获取价格	内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间210ns、最小输入脉冲宽度90ns的绝缘元
BM60210FV-C	ROHM	获取价格	High Voltage High & Low-side, Gate Driver
BM60210FV-CE2	ROHM	获取价格	High Voltage High & Low-side, Gate Driver
BM60212FV-C	ROHM	获取价格	BM60212FV-C是可驱动使用阴极负载方式的Nch-MOSFET及IGBT的1200V

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