型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BM60054FV-C | ROHM |
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Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | |
BM60054FV-CE2 | ROHM |
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Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | |
BM60055FV-C | ROHM |
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1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage | |
BM60055FV-CE2 | ROHM |
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1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage | |
BM60059FV-C | ROHM |
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内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间450ns、最小输入脉冲宽度400ns的绝缘 | |
BM60060FV-C | ROHM |
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内置绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间210ns、最小输入脉冲宽度90ns的绝缘元 | |
BM60210FV-C | ROHM |
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High Voltage High & Low-side, Gate Driver | |
BM60210FV-CE2 | ROHM |
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High Voltage High & Low-side, Gate Driver | |
BM60212FV-C | ROHM |
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BM60212FV-C是可驱动使用阴极负载方式的Nch-MOSFET及IGBT的1200V | |
BM60213FV-C | ROHM |
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BM60213FV-C是可驱动使用阴极负载方式的Nch-MOSFET及IGBT的1200V |