Datasheet > BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1

更新时间： 2024-11-21 21:15:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	372K
描述
BLA6G1011L-200RG

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLA6G1011L-200RG,1 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	Base Number Matches：	1

BLA6G1011L-200RG,1 数据手册

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号BLA6G1011L-200RG,1的Datasheet PDF文件第7页

BLA6G1011-200R;

BLA6G1011L(S)-200RG

Power LDMOS transistor

Rev. 4 — 9 November 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Table 1.

Test information

Typical RF performance at T_case= 25 C.

Test signal

V_DS

(V)

P_L

G_p

_D

t_r

t_f

(MHz)

(W)

(dB)

(%)

(ns)

Typical RF performance in a class-AB production test circuit for SOT502A

pulsed RF 1030 to 1090 28 200 20 65

Typical RF performance in a Gullwing application for SOT502C and SOT502D

pulsed RF

1030 to 1090

200

1.2 Features and benefits

 Typical pulsed RF performance at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz, a supply

voltage of 28 V and an I_Dqof 100 mA:

 Output power = 200 W

 Power gain = 20 dB

 Efficiency = 65 %

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Enhanced ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

 Internally matched for ease of use

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与BLA6G1011L-200RG,1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLA6G1011LS-200RG	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLA6G1011LS-200RG,	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
BLA6H0912-500	NXP	获取价格	LDMOS avionics radar power transistor
BLA6H0912-500,112	NXP	获取价格	BLA6H0912-500
BLA6H0912L-1000	NXP	获取价格	RF POWER, FET
BLA6H0912L-1000U	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
BLA6H0912LS-1000	NXP	获取价格	RF POWER, FET
BLA6H0912LS-1000U	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
BLA6H1011-600	NXP	获取价格	LDMOS avionics power transistor
BLA6H1011-600,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A