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BFP450-E6433

更新时间： 2024-10-01 14:48:03

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Transistor

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BFP450-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.45 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	15000 MHz
Base Number Matches：	1

BFP450-E6433 数据手册

BFP450

NPN Silicon RF Transistor

• For medium power amplifiers

• Compression point P

= +19 dBm at 1.8 GHz

-1dB

maximum available gain G = 15.5 dB at 1.8 GHz

Noise figure F = 1.25 dB at 1.8 GHz

• Transition frequency f = 24 GHz

• Gold metallization for high reliability

• SIEGET  25 GHz fT - Line

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C 4=E

Package

SOT343

BFP450

ANs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

T > 0 °C

CEO

4.5

4.1

T ≤ 0 °C

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CES

CBO

EBO

1.5

100

°C

Base current

450

Total power dissipation

tot

T ≤ 96 °C

150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2007-04-20

12 3 4 5 6 7...10

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