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BF623

更新时间: 2024-11-06 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 125K
描述
PNP high-voltage transistorsProduction

BF623 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzBase Number Matches:1

BF623 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF621; BF623  
PNP high-voltage transistors  
Product data sheet  
2004 Dec 14  
Supersedes data of 1999 Apr 21  

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