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BF720

更新时间： 2024-01-07 19:28:24
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1页 39K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BF720 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68其他特性：HIGH VOLTAGE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BF720 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BF720  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
✪
FEATURES  
*
High breakdown and low saturation voltages  
C
APPLICATIONS  
*
*
Suitable for video output stages in TV sets  
Switching power supplies  
E
COMPLEMENTARY TYPE:- BF721  
PARTMARKING DETAILS:- BF720  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
300  
300  
5
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
100  
50  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
Ptot  
2
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
300  
300  
5
V
IC=10µA, IE=0  
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=1mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=100µA, IC=0  
Collector Cut-Off Current ICBO  
10  
nA  
VCB=200V, IE=0  
Collector Cut-Off  
Current  
ICER  
50  
10  
nA  
µA  
VCE=200V, RBE=2.7KΩ  
VCE=200V, RBE=2.7kΩ †  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
10  
VEB=5V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
VCE(sat)  
0.6  
V
IC=30mA, IB=5mA*  
IC=20mA, IB=2mA*  
IC=25mA, VCE=20V*  
Saturation Voltage  
Base Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
0.9  
V
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
Transition Frequency  
fT  
100  
0.8  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
†Tamb =150°C  
Cobo  
VCB=30V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.  
TBA  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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