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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF623TRL | NXP |
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TRANSISTOR 20 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BF623TRL13 | NXP |
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暂无描述 |
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| BF657 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
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| BF658 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
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| BF659 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39 |
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| BF660 | INFINEON |
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PNP Silicon RF Transistor (For VHF oscillator applications) |
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| BF660TRL | NXP |
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TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BF660TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BF660W | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon RF Transistor (For VHF oscillator applications) |
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| BF-68068015% | VISHAY |
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General Purpose Inductor, 680uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core |
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