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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BF720T1
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BF720T1

更新时间： 2024-02-13 09:04:01
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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BF720T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.48
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

BF720T1 数据手册

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by BF720T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR 2,4  
BASE  
1
NPN SILICON  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS  
4
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
300  
300  
300  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
Watts  
°C  
1
2
3
V
CEO  
V
CBO  
V
CER  
V
EBO  
CASE 318E-04, STYLE 1  
SOT–223 (TO-261AA)  
I
C
100  
1.5  
Total Power Dissipation up to T = 25°C  
P
D
A
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
DC  
T
stg  
–65 to +150  
150  
T
J
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance  
from Junction-to-Ambient  
R
83.3  
°C/W  
θJA  
(1)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V
300  
300  
300  
5.0  
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
(BR)CEO  
V
(BR)CBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0)  
C
E
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, R = 2.7 kΩ)  
V
(BR)CER  
(BR)EBO  
C
BE  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
V
E
C
Collector-Base Cutoff Current  
(V = 200 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
CB  
E
Collector–Emitter Cutoff Current  
I
CER  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 250 Vdc, R  
= 200 Vdc, R  
= 2.7 kΩ)  
= 2.7 kΩ, T = 150°C)  
—
—
50  
10  
nAdc  
µAdc  
BE  
BE  
J
2
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in .  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1998  
123456

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BF720T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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