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BF721

更新时间： 2024-02-22 21:25:34
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1页 39K
描述
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BF721 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.05 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

BF721 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BF721  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
✪
FEATURES  
*
High breakdown and low saturation voltages  
C
APPLICATIONS  
*
*
Suitable for video output stages in TV sets  
Switching power supplies  
E
COMPLEMENTARY TYPE:-  
PARTMARKING DETAILS:-  
BF720  
BF721  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-300  
-300  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
-100  
-50  
mA  
mA  
W
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
Ptot  
-2  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base BF721 V(BR)CBO  
Breakdown  
-300  
-300  
-5  
V
IC=-10µA, IE=0  
Voltage  
Collector-Emitter BF721 V(BR)CEO  
Breakdown  
Voltage  
V
V
IC=-1mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off Current ICBO  
-10  
nA  
VCB=-200V, IE=0  
†
Collector Cut-Off  
Current  
ICER  
-50  
-10  
nA  
µA  
VCE=-200V, RBE=2.7KΩ  
VCE=-200V, RBE=2.7KΩ †  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-10  
VEB=-5V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
VCE(sat)  
-0.6  
V
IC=-30mA, IB=-5mA*  
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-25mA, VCE=-20V*  
Saturation Voltage  
Base Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.9  
V
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
-50  
Transition Frequency  
fT  
100  
0.8  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
†Tamb=150°C  
Cobo  
VCB=-30V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.  
TBA  
1

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