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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF722,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 250V 0.1A SOT223 |
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| BF722E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-2 |
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| BF722E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-2 |
|
| BF722-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high voltage transistorProduction |
|
| BF722-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BF722T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-223 |
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| BF722-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BF722-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BF722TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
|
| BF722TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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