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BF747T/R

更新时间： 2024-11-24 21:12:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
15页	85K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SST, 3 PIN, BIP RF Small Signal

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BF747T/R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SST, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.3 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz	Base Number Matches：	1

BF747T/R 数据手册

BF747

NPN 1 GHz wideband transistor

Rev. 03 — 27 July 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Low cost NPN transistor in a SOT23 plastic package.

1.2 Features

■ Stable oscillator operation

■ High current gain

■ Good thermal stability.

1.3 Applications

■ Intended for VHF and UHF TV-tuner applications and can be used as a mixer and/or

oscillator.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CM

Quick reference data

Parameter

Conditions

open base

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

collector-base voltage

emitter-base voltage

peak collector current

total power dissipation

transition frequency

open emitter

open collector

GHz

[1]

P_tot

T_s≤ 70 °C

300

1.6

f_T

I_C= 15 mA;

1.2

V_CE= 10 V;

f = 500 MHz

[1] T_sis the temperature at the soldering point of the collector pin.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BF747TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BF747TRL13	YAGEO	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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