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BF770AE6327

更新时间: 2024-11-28 03:27:11
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英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
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3页 47K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

BF770AE6327 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):6000 MHzBase Number Matches:1

BF770AE6327 数据手册

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