5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.47 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF722E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-2 |
|
| BF722-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN high voltage transistorProduction |
|
| BF722-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BF722T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-223 |
|
| BF722-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BF722-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BF722TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
|
| BF722TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
|
| BF723 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistor |
|
| BF723 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
