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BF722-TAPE-13

更新时间: 2024-10-01 20:09:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
TRANSISTOR 0.05 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BF722-TAPE-13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.5外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.6 pF
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BF722-TAPE-13 数据手册

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