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BF747-T

更新时间： 2024-10-01 21:12:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	85K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

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BF747-T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

BF747-T 数据手册

BF747

NPN 1 GHz wideband transistor

Rev. 03 — 27 July 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Low cost NPN transistor in a SOT23 plastic package.

1.2 Features

■ Stable oscillator operation

■ High current gain

■ Good thermal stability.

1.3 Applications

■ Intended for VHF and UHF TV-tuner applications and can be used as a mixer and/or

oscillator.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CM

Quick reference data

Parameter

Conditions

open base

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

collector-base voltage

emitter-base voltage

peak collector current

total power dissipation

transition frequency

open emitter

open collector

GHz

[1]

P_tot

T_s≤ 70 °C

300

1.6

f_T

I_C= 15 mA;

1.2

V_CE= 10 V;

f = 500 MHz

[1] T_sis the temperature at the soldering point of the collector pin.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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