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BF660TRL

更新时间: 2024-01-28 07:04:06
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恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BF660TRL 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.15
其他特性:TUNER最大集电极电流 (IC):0.025 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):650 MHzBase Number Matches:1

BF660TRL 数据手册

  

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