Datasheet > BF720

BF720

更新时间： 2024-01-13 01:14:18

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		/
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BF720 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH VOLTAGE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BF720 数据手册

BF 720, BF 722

NPN

High Voltage Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

6.5^±0.2

3^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

1.5 W

1.65

Plastic case

SOT-223

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.04 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

0.7

2.3

3.25

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2, 4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BF 720

BF 722

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

300 V

250 V

5 V

1.5 W ¹)

100 mA

200 mA

100 mA

150ꢀC

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 200 V

I_CB0

–

10 nA

10 ꢀA

I_E= 0, V_CB= 200 V, T_j= 150ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 5 V

I_EB0

–

50 nA

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

I_C= 30 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

600 mV

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BF720 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCP52	INFINEON	功能相似	PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)

与BF720相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BF720,115	NXP	获取价格	BF720; BF722 - NPN high-voltage transistors SC-73 4-Pin
BF720E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SOT-223, 4 PIN
BF720E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, SOT-223, 4 PIN
BF720-Q	NEXPERIA	获取价格	NPN high voltage transistorProduction
BF720T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-223
BF720T1	MOTOROLA	获取价格	NPN Ssilicon Transistor
BF720T1	ONSEMI	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BF720T1/D	ETC	获取价格	NPN Silicon Transistor
BF720T1G	ONSEMI	获取价格	NPN Silicon Transistor
BF720T3	MOTOROLA	获取价格	0.1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA

与BF720相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BF720

BF720 技术参数

BF720 数据手册

BF720 替代型号

与BF720相关器件

与BF720相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BF720

BF720 技术参数

BF720 数据手册

BF720 替代型号

与BF720相关器件

与BF720相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？