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BF659

更新时间: 2024-02-01 15:47:46
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 128K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-39

BF659 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.88
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):7 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):90 MHz
Base Number Matches:1

BF659 数据手册

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