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BF623,115

更新时间: 2024-02-19 22:19:30
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
10页 72K
描述
BF621; BF623 - PNP high-voltage transistors SOT-89 3-Pin

BF623,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:7.7外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.6 pF
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:0.8 V
Base Number Matches:1

BF623,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF621; BF623  
PNP high-voltage transistors  
Product data sheet  
2004 Dec 14  
Supersedes data of 1999 Apr 21  

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