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BST15

更新时间: 2024-02-20 13:02:34
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 45K
描述
PNP high-voltage transistors

BST15 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77其他特性:HIGH VOLTAGE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

BST15 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BST15; BST16  
PNP high-voltage transistors  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Aug 03  

BST15 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BF623 NEXPERIA

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