BDY71

更新时间： 2024-01-26 18:54:57

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BDY71 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BDY71 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY71

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= 4A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 29W @T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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