Datasheet > BDY73

BDY73

更新时间： 2024-11-05 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	194K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDY73 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BDY73 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY73

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·DC Current Gain-h_FE=50-150@I_C= 4A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.1 V(Max)@ I_C= 4A

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose switching and amplifier

applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

117

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与BDY73相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY74	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY74	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 10A
BDY76	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY76	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDY76	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY76E	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY77	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY78	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY78	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDY78	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 55V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66