BDY76

更新时间： 2024-02-17 16:46:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	194K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY76 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDY76 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY76

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·High DC Current Gain-

: h_FE= 40~120@I_C= 10A

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.4V(Max)@ I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and

inductive switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

P_C

150

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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