BDY76

更新时间： 2024-11-05 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	194K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY76 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDY76 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY76

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·High DC Current Gain-

: h_FE= 40~120@I_C= 10A

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.4V(Max)@ I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and

inductive switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

P_C

150

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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