生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 20 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BDY76E | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BDY77 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
BDY78 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY78 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
BDY78 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 55V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | |
BDY79 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
BDY79 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY80 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY80 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BDY81 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |