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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDY92 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| BDY92 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDY92 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| BDY92 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| BDY93 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| BDY94 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BDY95 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
|
| BDY96 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| BDY96D | NJSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| BDY97 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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