5秒后页面跳转
BDY90 PDF预览

BDY90

更新时间: 2024-09-29 21:54:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Power Transistors

BDY90 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.05
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

BDY90 数据手册

  
Power Transistors  
TO-3 Case (Continued)  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
C
T
*TYP  
*TYP  
(MHz)  
MIN  
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(A)  
(V)  
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
MIN  
MIN  
MIN MAX  
MAX  
2N6674  
2N6675  
BDW51  
BDW51A BDW52A  
BDW51B BDW52B  
BDW51C BDW52C  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
10  
10  
10  
10  
12  
12  
12  
12  
10  
10  
10  
8.0  
8.0  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
20  
10  
8.0  
9.0  
15  
10  
10  
10  
175  
175  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
100  
100  
120  
120  
120  
120  
60  
350  
450  
45  
60  
80  
100  
45  
60  
80  
100  
40  
60  
80  
100  
120  
100  
80  
1,500  
1,500  
500  
800  
900  
500  
800  
900  
250  
400  
450  
850  
850  
800  
1,000  
800  
300  
400  
45  
60  
80  
100  
45  
60  
80  
100  
40  
60  
80  
100  
100  
80  
8.0  
8.0  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
150  
150  
150  
150  
- -  
- -  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
1.5  
1.5  
1.0  
5.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
3.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.6  
2.0  
3.0  
5.0  
3.0  
3.3  
3.3  
15  
15  
10  
10  
10  
15  
15  
BDW52  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
10*  
10*  
10*  
10*  
20*  
20*  
20*  
20*  
70*  
70*  
70*  
7.0*  
7.0*  
- -  
10  
BDX85  
BDX85A  
BDX85B  
BDX85C  
BDX87  
BDX87A  
BDX87B  
BDX87C  
BDY90  
BDY91  
BDY92  
BU208  
BU208A  
BUW34  
BUW35  
BUW36  
BUW44  
BUW45  
BUW46  
BUX11  
BDX86  
750 18,000 4.0  
750 18,000 4.0  
750 18,000 4.0  
750 18,000 4.0  
750 18,000 6.0  
750 18,000 6.0  
750 18,000 6.0  
750 18,000 6.0  
30  
30  
30  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
12  
12  
12  
12  
10  
BDX86A  
BDX86B  
BDX86C  
BDX88  
BDX88A  
BDX88B  
BDX88C  
120  
120  
120  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
5.0  
5.0  
5.0  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
60  
60  
10  
10  
60  
150  
150  
125  
125  
125  
175  
175  
175  
150  
120  
120  
125  
175  
100  
100  
100  
700  
700  
400  
400  
450  
400  
400  
450  
200  
325  
400  
400  
400  
400  
400  
325  
4.5  
4.5  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
12  
5.0  
4.0  
9.0  
15  
8.0  
8.0  
8.0  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
- -  
20  
15  
15  
- -  
60  
60  
45  
- -  
- -  
- -  
6.0  
3.0  
2.0  
- -  
8.0  
8.0  
8.0  
- -  
- -  
- -  
BUX43  
BUX44  
BUX47  
BUX48  
BUX80  
BUY69A  
BUY69B  
- -  
- -  
30*  
15  
15  
1.2  
2.5  
2.5  
- -  
- -  
10*  
10*  
Shaded areas indicate Darlington.  
84  
www.centralsemi.com  

BDY90 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP121 MOTOROLA

功能相似

Plastic Medium-Power
D44H8 MOTOROLA

功能相似

10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 80 VOLTS

与BDY90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDY90A ISC

获取价格

isc Silicon NPN Power Transistor
BDY90P ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
BDY90S SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY91 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY91 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
BDY91 ISC

获取价格

isc Silicon NPN Power Transistor
BDY91 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY92 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
BDY92 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY92 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistor