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BDY96D

更新时间: 2024-02-20 19:07:31
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

BDY96D 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

BDY96D 数据手册

 浏览型号BDY96D的Datasheet PDF文件第2页 

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