生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 55 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BDY79 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
BDY79 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY80 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY80 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BDY81 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor | |
BDY81 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BDY83 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistor | |
BDY83 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
BDY90 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor | |
BDY90 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |