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BDY78

更新时间： 2024-11-05 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	278K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY78 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY78

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= 4A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W @T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

I_B

P_C

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

7.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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