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BDY78

更新时间： 2024-01-29 06:34:26

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	278K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY78 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDY78 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY78

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= 4A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W @T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

I_B

P_C

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

7.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY79	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDY79	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY80	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY80	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY81	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY81	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY83	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
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BDY90	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3