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BDY81

更新时间： 2024-11-05 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	235K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY81 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY81

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= 4A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 36W @T_C= 25℃

·Complement to Type BDY83

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

I_B

P_C

℃

T_J

150

-55~175

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

3.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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与BDY81相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY83	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
BDY83	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY90	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY90	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY90	STMICROELECTRONICS	获取价格	HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
BDY90	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
BDY90	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY90A	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BDY90P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
BDY90S	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3