BDY72

更新时间： 2024-11-05 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	278K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BDY72 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDY72 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY72

DESCRIPTION

·Contunuous Collector Current-I_C= 3A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W @T_C= 25℃

Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 120V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose switching and linear

amplifier applications requiring high breakdown voltages.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CEX

V_CER

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

150

120

150

130

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

7.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与BDY72相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY73	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY73	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDY73	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 15A
BDY74	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY74	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 10A
BDY76	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY76	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDY76	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BDY76E	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDY77	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3