BDY72

更新时间： 2024-01-21 23:59:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	278K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BDY72 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDY72 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY72

DESCRIPTION

·Contunuous Collector Current-I_C= 3A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W @T_C= 25℃

Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 120V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose switching and linear

amplifier applications requiring high breakdown voltages.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CEX

V_CER

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

150

120

150

130

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage R_BE= 100Ω

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

7.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDY73	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY73	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device
BDY73	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 15A
BDY74	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY74	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 10A
BDY76	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BDY76	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDY76	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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