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BCU83D

更新时间： 2024-10-14 08:50:47

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SEME-LAB		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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4页	108K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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BCU83D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	95
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	220 MHz
Base Number Matches：	1

BCU83D 数据手册

BCU83D

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

NPN EPITAXIAL PLANAR

SILICON TRANSISTOR

Ideal For High current Switching

Application

FEATURES

• LOW V

CE(SAT)

• HIGH CURRENT CAPACITY

• FAST SWITCHING SPEED

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Base voltage

60V

20V

CBO

CEO

EBO

Collector – Emitter voltage (I = 0)

Emitter – Base voltage

Collector current

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

(Mounted on Ceramic Board (750mm x 0.8mm)

1.5W

Total Dissipation

(Mounted on Ceramic Board (750mm x 0.8mm)

Junction Temperature

Storage Temperature

150°C

–55 to 150°C

stg

Magnatec. Telephone +44(0)1455 554711.

Fax +44(0)1455 558843.

E-mail: magnatec@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.6/99

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