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BCU83-SMD

更新时间： 2024-10-13 22:27:23

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描述
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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BCU83-SMD 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

BCU83-SMD 数据手册

BCU83–SMD

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

NPN EPITAXIAL PLANAR

SILICON TRANSISTOR

Ideal for high current driver applications

requiring low loss devices

FEATURES

• LOW V

CE(SAT)

• HIGH CURRENT

• HIGH ENERGY RATING

APPLICATIONS

• ANY HIGH CURRENT DRIVER

APPLICATIONS REQUIRING

SOT89

EFFICIENT LOW LOSS DEVICES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Emitter voltage

Collector – Base voltage

Emitter – Base voltage

Collector current

20V

CEO

CBO

EBO

60V

Peak Collector current

C(PK)

Total Dissipation at T

= 25°C

0.9W

tot

stg

case

Storage Temperature

Maximum Operating Junction Temperature

–55 to 150°C

150°C

Magnatec. Telephone +44(0)1455 554711.

Fax +44(0)1455 558843.

E-mail: magnatec@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 1/94

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