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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCR103F
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BCR103F

更新时间： 2024-02-02 10:35:34
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 199K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR103F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
Base Number Matches：1

BCR103F 数据手册

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BCR103...  
DC current gain h = ƒ(I )  
Collector-emitter saturation voltage  
FE  
C
V
= 5V (common emitter configuration)  
V
= ƒ(I ), h = 20  
CE  
CEsat C FE  
10 3  
10 2  
A
10 2  
10 1  
10 0  
10 1  
10 -1  
10 0  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8  
1
A
V
I
V
CEsat  
C
Input on Voltage Vi  
= ƒ(I )  
Input off voltage V  
= ƒ(I )  
i(off) C  
(on)  
C
V
= 0.3V (common emitter configuration)  
V
= 5V (common emitter configuration)  
CE  
CE  
10 -2  
10 -1  
A
A
10 -3  
10 -4  
10 -5  
10 -6  
10 -2  
10 -3  
10 -4  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.7  
i(off)  
V
V
V
V
i(on)  
Aug-29-2003  
4
12345678

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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