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BCR108L3

更新时间： 2024-11-23 22:27:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	492K
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR108L3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSLP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz

BCR108L3 数据手册

BCR108.../SEMH10

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =2.2kΩ, R =47kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR108/F/L3

BCR108T/W

BCR108S

SEMH10

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCR108

WHs

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

BCR108F

BCR108L3

BCR108S

BCR108T

BCR108W

SEMH10

SC75

SOT323

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666

Jun-14-2004

12 3 4 5 6 7...10

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