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BCR133F

更新时间： 2024-11-24 22:48:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 492K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR133F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

BCR133F 数据手册

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BCR133.../SEMH11  
NPN Silicon Digital Transistor  
• Switching in circuit, inverter, interface circuit,  
drive circuit  
• Built in bias resistor (R = 10 kΩ, R = 10 kΩ)  
1
2
• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR133/F/L3  
BCR133T/W  
BCR133S/U  
SEMH11  
C
C1  
B2  
E2  
3
6
5
4
R2  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
R2  
1
2
3
1
2
E1  
B1  
C2  
B
E
EHA07174  
EHA07184  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR133  
WCs  
WCs  
WC  
WCs  
WCs  
WCs  
WC  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C SC75  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74  
1=B 2=E 3=C SOT323  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR133F  
BCR133L3  
BCR133S  
BCR133T  
BCR133U  
BCR133W  
SEMH11  
-
-
-
-
-
-
WC  
Jun-14-2004  
1
1234567...10

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