BCR133F

更新时间： 2024-02-14 03:42:30

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	492K
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR133F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.43
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR133F 数据手册

BCR133.../SEMH11

Permissible Puls Load R

SEMH11

= ƒ (t )

Permissible Pulse Load

P /P = ƒ(t )

totmax totDC

thJS

SEMH11

10 ³

K/W

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ²

10 ¹

10 ⁰

D = 0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0

0.2

0.5

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

Jun-14-2004

1...7 8 910

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