BCR133F

更新时间： 2024-02-21 15:12:58

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	492K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR133F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.43
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR133.../SEMH11

Total power dissipation P = ƒ(T )

tot S

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Total power dissipation P = ƒ(T )

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SEMH11

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°C

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Jun-14-2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCR133L3	INFINEON	NPN Silicon Digital Transistor	获取价格
BCR133S	INFINEON	NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driv	获取价格
BCR133S-E6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCR133SE6327BTSA1	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO	获取价格
BCR133S-E6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCR133SH6327	INFINEON	NPN Silicon Digital Transistor	获取价格