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BCR133WE6327HTSA1

更新时间： 2024-11-21 14:27:51

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	868K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCR133WE6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

BCR133WE6327HTSA1 数据手册

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BCR133...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching in circuit, inverter, interface circuit,

drive circuit

• Built in bias resistor (R = 10 kΩ, R = 10 kΩ)

• BCR133S: Two internally isolated

transistors with good matching

in one multichip package

• BCR133S: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR133/W

BCR133S

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR133

BCR133S

BCR133W

Marking

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

Package

SOT23

WCs

1=B 2=E 3=C

SOT323

2011-08-19

12 3 4 5 6 7...11

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